參數(shù)資料
型號： BSF030NE2LQ
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： JFETs
英文描述： 24 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： GREEN, METAL, WDSON-2
文件頁數(shù)： 12/13頁
文件大?。?/td> 1563K
代理商： BSF030NE2LQ
OptiMOS Power-MOSFET
BSF030NE2LQ
Electrical characteristics diagrams
Final Data Sheet
7
2.2, 2011-04-07
Table 12
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)=f(Tj); ID=30 A; VGS=10 V
V
GS(th)=f(Tj); VGS=VDS; ID=250 A
Table 13
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C=f(V
DS); VGS=0 V; f=1 MHz
I
F=f(VSD); parameter: Tj
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BT485AKPJ135 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84
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BT68560AKPJ 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC44
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參數(shù)描述
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BSF035NE2LQXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），69A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 30A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1862pF @ 12V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000
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