參數(shù)資料
型號： BLW78
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HF/VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-121B, 4 PIN
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： BLW78
August 1986
5
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW78
Fig.4 Typical values; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
5
10
0
50
MGP545
25
hFE
IC (A)
5 V
VCE = 28 V
Fig.5 I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
20
40
0
400
MGP546
200
typ
Cc
(pF)
VCB (V)
Fig.6 Typical values; f = 100 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, full pagewidth
25
0
0
10
5
20
MGP547
15
250
500
VCB = 28 V
20 V
fT
(MHz)
IE (A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLW80 UHF power transistor
BLX41X PNP
BLX41XX PNP
BLX48R TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-205AD
BM-3BK CASE DESKTOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLW80 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW81 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW83 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW85 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW86 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*