參數(shù)資料
型號: BLW78
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: HF/VHF power transistor
中文描述: VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: CERAMIC, SOT-121B, 4 PIN
文件頁數(shù): 14/16頁
文件大?。?/td> 83K
代理商: BLW78
August 1986
14
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW78
Fig.18 Intermodulation distortion
(1)
as a function of
output power.
handbook, halfpage
0
50
100
50
30
MGP559
40
d3, d5
(dB)
P.E.P. (W)
d5
d3
Typical values; V
CE
= 28 V; I
= 50 mA;
f
1
= 28,000 MHz; f
2
= 28,001 MHz;
T
h
= 25
°
C.
Fig.19 Power gain as a function of frequency.
handbook, halfpage
0
MGP560
10
20
Gp
(dB)
f (MHz)
1
10
10
2
V
CE
= 28 V; I
C(ZS)
= 50 mA; P
L
= 100 W (P.E.P.);
T
h
= 25
°
C; Z
L
.
Figs 19 and 20 are typical curves and hold for an
unneutralized amplifier in s.s.b. class-AB operation.
Fig.20 Input impedance (series components).
V
CE
= 28 V; I
C(ZS)
= 50 mA; P
L
= 100 W (P.E.P.);
T
h
= 25
°
C; Z
L
.
handbook, halfpage
0
5
0
10
5
MGP561
ri
(
)
xi
(
)
xi
f (MHz)
1
10
10
2
ri
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