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參數資料
| 型號： | BLW78 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | HF/VHF power transistor |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-121B, 4 PIN |
| 文件頁數： | 4/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | BLW78 |
August 1986
4
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW78
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C
Notes
1.
2.
Measured under pulse conditions: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0,02.
Measured under pulse conditions: t
p
≤
50
μ
s;
δ ≤
0,01.
Collector-emitter breakdown voltage
V
BE
= 0; I
C
= 50 mA
Collector-emitter breakdown voltage
open base; I
C
= 100 mA
Emitter-base breakdown voltage
open collector; I
E
= 5 mA
Collector cut-off current
V
BE
= 0; V
CE
= 35 V
D.C. current gain
(1)
I
C
= 5 A; V
CE
= 5 V
Collector-emitter saturation voltage
I
C
= 15 A; I
B
= 3 A
Transition frequency at f
=
100 MHz
(2)
I
E
= 5 A; V
CB
= 28 V
I
E
= 15 A; V
CB
= 28 V
Collector capacitance at f = 1 MHz
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 28 V
Feedback capacitance at f = 1 MHz
I
C
= 100 mA; V
CE
= 28 V
Collector-flange capacitance
V
(BR)CES
>
70 V
V
(BR)CEO
>
35 V
V
(BR)EBO
>
4 V
I
CES
<
5 mA
h
FE
20 to 85
V
CEsat
typ.
2 V
f
T
f
T
typ. 370 MHz
typ. 350 MHz
C
c
typ. 155 pF
C
re
C
cf
typ. 102 pF
typ.
3 pF
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PDF描述 |
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