參數(shù)資料
型號： BLF247B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： ECONOLINE: RM & RL - Single Output Rail- Industry Standard Pinout- 1kVDC & 2kVDC Isolation- High Efficiency for Low Power Applications- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Fully Encapsulated- Efficiency to 80%
中文描述： 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： BLF247B
August 1994
5
Philips Semiconductors
Product specification
VHF push-pull power MOS transistor
BLF247B
Fig.6
Drain-source on-state resistance as a
function of junction temperature, typical
values per section.
I
D
= 5 A; V
GS
= 10 V.
handbook, halfpage
RDSon
(
)
0
50
100
200
0
MBD297
150
Tj
o
300
100
Fig.7
Input and output capacitance as functions
of drain-source voltage, typical values
per section.
V
GS
= 0; f = 1 MHz.
0
200
400
600
800
0
10
20
30
40
C
(pF)
Cis
Cos
(V)
VDS
MRA930
Fig.8
Reverse transfer capacitance as a
function of drain-source voltage, typical
values per section.
V
GS
= 0; f = 1 MHz.
MBD296
0
300
200
100
0
10
20
30
40
VDS
Crs
(pF)
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