參數(shù)資料
型號： BLF1049
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Base station LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 110K
代理商： BLF1049
2003 May 14
6
Philips Semiconductors
Product specification
Base station LDMOS transistor
BLF1049
handbook, halfpage
dim
(dBc)
0
50
100
150
20
60
80
40
MLE069
PL (PEP) (W)
(6)
(3)
(1)
(5)
(2)
(4)
Fig.10 Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
V
DS
= 27 V; f
1
= 920.0 MHz; f
2
= 920.1 MHz.
(1) d
3
; I
DQ
= 1 A.
(2) d
5
; I
DQ
= 1 A.
(3) d
7
; I
DQ
= 1 A.
(4) d
3
; I
DQ
= 1.3 A.
(5) d
5
; I
DQ
= 1.3 A.
(6) d
7
; I
DQ
= 1.3 A.
handbook, halfpage
(
)
0.85
1
0
1.5
0.5
0.5
1
0.9
0.95
1
MLE070
f (GHz)
ri
xi
Fig.11 Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
Class-AB operation; V
DS
= 27 V; I
DQ
= 1125 mA; P
L
= 35 W.
Values comprised for different parameters.
handbook, halfpage
(
)
0.85
1
0
1
1.5
0.5
0.5
0.9
0.95
1
MLE071
f (GHz)
RL
XL
Fig.12 Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
Class-AB operation; V
DS
= 27 V; I
DQ
= 1125 mA; P
L
= 35 W.
Values comprised for different parameters.
handbook, halfpage
MGS998
ZL
drain
gate
ZIN
Fig.13 Definition of transistor impedance.
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