參數(shù)資料
型號(hào)： BF1102R
英文描述： Dual N-channel dual gate MOS-FETs
中文描述： 雙N溝道雙柵MOS - FET的
文件頁(yè)數(shù)： 6/16頁(yè)
文件大?。?/td> 120K
代理商： BF1102R
2000 Apr 11
6
Philips Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
BF1102; BF1102R
handbook, halfpage
(mA)
0
20
60
0
5
20
15
10
MGS364
40
IG1 (
μ
A)
Fig.7
Draincurrentasafunctionofgate 1current;
typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
10
5
0
1
MGS365
2
3
5
4
ID
(mA)
VGG (V)
Fig.8
Drain current as a function of gate 1 supply
voltage (= V
GG
); typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
°
C.
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.20.
handbook, halfpage
0
10
0
10
20
MGS366
2
4
6
8
ID
(mA)
VGG = VDS (V)
RG1 = 47 k
68 k
82 k
100 k
120 k
150 k
180 k
220 k
Fig.9
Draincurrentasafunctionofgate 1(= V
GG
)
and drain supply voltage; typical values.
V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
°
C.
R
G1
connected to V
GG
; see Fig.20.
handbook, halfpage
(mA)
0
2
6
0
16
MGS367
4
12
8
4
VG2-S (V)
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
VG1-S = 5 V
V
DS
= 5 V; T
j
= 25
°
C.
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.20.
Fig.10 Drain current as a function of gate 2
voltage; typical values.
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PDF描述
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