參數(shù)資料
型號： BF1102R
英文描述： Dual N-channel dual gate MOS-FETs
中文描述： 雙N溝道雙柵MOS - FET的
文件頁數(shù)： 9/16頁
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代理商： BF1102R
2000 Apr 11
9
Philips Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
BF1102; BF1102R
handbook, halfpage
crosstalk
level
(dB)
0
f (MHz)
200
1000
20
60
80
40
400
600
800
MCD972
Fig.19 Crosstalk as a function of frequency:
Output level of non-active amplifier related
to output level of active amplifier; typical
values.
Active amplifier: V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V; I
D
= 15 mA.
Non-active amplifier: V
DS
= V
G1-S
= 0 V.
Source and load impedances: 50
(both amplifiers).
T
amb
= 25
°
C.
handbook, full pagewidth
DUT
C1
4.7 nF
R1
10 k
MGS315
C4
4.7 nF
L1
≈
2.2
μ
H
C3
4.7 nF
RL
50
VGG
VAGC
VDS
RGEN
50
VI
R2
50
4.7 nF
C2
RG1
Fig.20 Cross-modulation test set-up (for one MOS-FET).
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PDF描述
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參數(shù)描述
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