參數(shù)資料
型號(hào)： BF1102R
英文描述： Dual N-channel dual gate MOS-FETs
中文描述： 雙N溝道雙柵MOS - FET的
文件頁(yè)數(shù)： 10/16頁(yè)
文件大小： 120K
代理商： BF1102R
2000 Apr 11
10
Philips Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
BF1102; BF1102R
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
°
C
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
°
C
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
5.6
11.1
21.9
32.1
42.0
51.1
59.9
67.9
75.7
82.1
89.0
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.0
6.0
12.0
17.7
23.2
29.1
34.1
39.8
45.1
49.7
55.7
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.987
0.981
0.961
0.933
0.899
0.867
0.834
0.805
0.779
0.758
0.740
4.069
4.042
3.926
3.778
3.593
3.412
3.216
3.010
2.804
2.656
2.509
173.5
167.0
154.4
142.4
130.6
119.6
109.2
99.0
89.2
80.3
69.9
0.001
0.002
0.005
0.006
0.007
0.007
0.007
0.006
0.007
0.007
0.009
95.4
81.3
75.8
69.6
65.6
64.4
67.5
78.7
92.7
120.7
125.5
0.986
0.983
0.976
0.960
0.945
0.928
0.914
0.901
0.886
0.889
0.890
f
(MHz)
F
min
(dB)
Γ
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
800
2
0.621
61.61
25.85
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