參數(shù)資料
型號(hào)： BF1102R
英文描述： Dual N-channel dual gate MOS-FETs
中文描述： 雙N溝道雙柵MOS - FET的
文件頁(yè)數(shù)： 5/16頁(yè)
文件大?。?/td> 120K
代理商： BF1102R
2000 Apr 11
5
Philips Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
BF1102; BF1102R
ALL GRAPHS FOR ONE MOS-FET
handbook, halfpage
0
20
10
0
0.8
0.4
2.4
2.0
1.6
1.2
MGS360
VG1-S (V)
2.5 V
2 V
1.5 V
1 V
3.5 V
3 V
VG2-S = 4 V
ID
(mA)
Fig.3 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
10
10
0
20
MGS361
2
4
6
8
VDS (V)
ID
(mA)
1.4 V
1.3 V
1.2 V
1.1 V
1 V
VG1-S = 1.5 V
Fig.4 Output characteristics; typical values.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
IG1
(
μ
A)
0
80
120
40
0
0.5
2.5
MGS362
1
1.5
2
VG1-S (V)
2.5 V
2 V
3.5 V
3 V
VG2-S = 4 V
Fig.5
Gate 1 current as a function of gate 1
voltage; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(mS)
0
10
30
0
40
MGS363
20
30
20
10
ID (mA)
3.5 V
3 V
VG2-S = 4 V
2.5 V
2 V
Fig.6
Forward transfer admittance as a function
of drain current; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°
C.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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