參數(shù)資料
型號： BF1102R
英文描述： Dual N-channel dual gate MOS-FETs
中文描述： 雙N溝道雙柵MOS - FET的
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大小： 120K
代理商： BF1102R
2000 Apr 11
3
Philips Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
BF1102; BF1102R
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per MOS-FET unless otherwise specified
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
drain current (DC)
gate 1 current
gate 2 current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
65
7
40
±
10
±
10
200
+150
150
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
T
s
≤
102
°
C
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
240
K/W
handbook, halfpage
(mW)
0
50
100
200
0
200
MGS359
150
150
100
50
Ts (
°
C)
Fig.2 Power derating curve.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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