BUK9M120-100EX

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BUK9M120-100EX
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
19230
NEXPERIA
SOP-4
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

BUK9M120-100EX
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
21100
NEXPERIA
SOT1210
2022+
-
十年芯途，只做原裝，實單可以支持。075...

BUK9M120-100EX
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK33
18+
-
MOSFET N-CH 100V 11....

BUK9M120-100EX
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT1210
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

BUK9M120-100EX
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
11.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.05V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
8.8nC @ 5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
882pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
44W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
119 毫歐 @ 5A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
LFPAK33
封裝/外殼
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）
標準包裝
1

BUK9M120-100EX 技術(shù)參數(shù)

BUK9M11-40EX 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:53A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.4nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1721pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標準包裝:1 BUK9M10-30EX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:54A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1249pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:55W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標準包裝:1 BUK9K8R7-40EX 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2110pF @ 25V 功率 - 最大值:53W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-1205，8-LFPAK56 供應商器件封裝:LFPAK56D 標準包裝:1 BUK9K89-100E,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1108pF @ 25V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-1205，8-LFPAK56 供應商器件封裝:LFPAK56D 標準包裝:1 BUK9K6R8-40EX 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.1 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 25V 功率 - 最大值:64W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-1205，8-LFPAK56 供應商器件封裝:LFPAK56D 基本零件編號:* 標準包裝:1 BUK9M28-80EX BUK9M34-100EX BUK9M35-80EX BUK9M42-60EX BUK9M43-100EX BUK9M52-40EX BUK9M53-60EX BUK9M5R2-30EX BUK9M6R6-30EX BUK9M7R2-40EX BUK9M85-60EX BUK9M9R1-40EX BUK9MJT-55PRF,518 BUK9Y07-30B,115 BUK9Y09-40B,115 BUK9Y104-100B,115 BUK9Y107-80EX BUK9Y11-30B,115