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BUK9Y153-100E,115

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

BUK9Y153-100E,115
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
NXP Semiconductors
標(biāo)準(zhǔn)封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

BUK9Y153-100E,115
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號(hào)深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1489
NEXPERIA/安世
SOT-669
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

BUK9Y153-100E,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，電源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 100V 9.4...

BUK9Y153-100E,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BUK9Y153-100E,115 存儲(chǔ)IC
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-83795896
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
34000
NEXPERIA/安世
21+原廠授權(quán)
-
★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

BUK9Y153-100E,115
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
12432
NEXPERIA/安世
NA
20+
-
進(jìn)口原裝正品假一賠十

BUK9Y153-100E,115
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室
1899
NEXPERIA
NA
近兩年
-
查價(jià)格、訂購(gòu)可到京北通宇商城www.jb...

BUK9Y153-100E,115
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
15000
NXP
N/A
22+
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

BUK9Y153-100E,115
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
1500
NEXPERIA
主營(yíng)優(yōu)勢(shì)
19+
-
100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條
1

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BUK9Y153-100E,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BUK9Y153-100E,115 PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
BUK9Y153-100E/LFPAK/REEL7// - Tape and Reel
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 100V LFPAK

BUK9Y153-100E,115 技術(shù)參數(shù)

BUK9Y15-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:69A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6139pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:195W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y14-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:62A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:28.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4640pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 基本零件編號(hào):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y14-40B,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:56A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y12-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 BUK9Y12-55B,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:61.8A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y25-80E,115 BUK9Y27-40B,115 BUK9Y29-40E,115 BUK9Y30-75B,115 BUK9Y30-75B/C2,115 BUK9Y38-100E,115 BUK9Y3R0-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y40-55B,115 BUK9Y41-80E,115 BUK9Y43-60E,115 BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y53-100B,115 BUK9Y58-75B,115 BUK9Y59-60E,115 BUK9Y65-100E,115 BUK9Y6R0-60E,115

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配單專線：0755-83286799
安富微（深圳）商貿(mào)有限..
配單專線：0755-88999344
艾睿（深圳）實(shí)業(yè)有限公..
配單專線：0755-82387015
深圳市佳芯恒業(yè)科技有限..
配單專線：0755-83353220
深圳市芯易芯科技有限公..
配單專線：0755-84864007

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