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BUK9Y25-80E,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BUK9Y25-80E,115
    BUK9Y25-80E,115

    BUK9Y25-80E,115

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • LFPAK56-5

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • BUK9Y25-80E,115
    BUK9Y25-80E,115

    BUK9Y25-80E,115

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • Nexperia

  • N/A

  • 24+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝上傳有貨

  • BUK9Y25-80E,115 MOS(場效應(yīng)管)
    BUK9Y25-80E,115 MOS(場效應(yīng)管)

    BUK9Y25-80E,115 MOS(場效應(yīng)管)

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT-669

  • -

  • 授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

  • BUK9Y25-80E,115
    BUK9Y25-80E,115

    BUK9Y25-80E,115

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13043481413

    地址：華強(qiáng)北都會軒4507

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 24+

  • -

  • 原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

  • BUK9Y25-80E,115
    BUK9Y25-80E,115

    BUK9Y25-80E,115

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
BUK9Y25-80E,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V LFPAK
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • 汽車級，AEC-Q101
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • Digi-Key 停止供應(yīng)
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 37A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 5V，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 17.1nC @ 5V
  • Vgs（最大值）
  • ±10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 2703pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 95W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 27 毫歐 @ 10A，5V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • LFPAK56，Power-SO8
  • 封裝/外殼
  • SC-100，SOT-669
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
BUK9Y25-80E,115 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9Y25-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:65W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21.5 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y22-30B,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:37.7A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:940pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:59.4W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y22-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:49A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4640pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21.5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y21-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:824pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y19-75B,115 功能描述:MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:48.2A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3096pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y43-60E,115 BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y53-100B,115 BUK9Y58-75B,115 BUK9Y59-60E,115 BUK9Y65-100E,115 BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y72-80E,115 BUK9Y7R2-60E,115 BUK9Y7R6-40E,115 BUK9Y7R8-80E,115 BUK9Y8R5-80EX BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y98-80E,115 BUK9Y9R9-80E,115 BU-L0000-375 BU-L0000-375TIN
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