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BUK9Y113-100E,115

BUK9Y113-100E,115
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
NXP Semiconductors
標(biāo)準(zhǔn)封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

BUK9Y113-100E,115
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
Nexperia
N/A
24+
-
瑞智芯只做原裝上傳有貨

BUK9Y113-100E,115
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
13620
NXP
N/A
23+
-
只做全新原裝正品現(xiàn)貨

BUK9Y113-100E,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，電源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 100V LFP...

BUK9Y113-100E,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BUK9Y113-100E,115
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯(lián)系人：鄭小姐
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7070
NXP/恩智浦
NA
16+
-

BUK9Y113-100E,115
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

BUK9Y113-100E,115
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
201000
NXP/恩智浦
NA
22+
-
可訂貨，請確認(rèn)

BUK9Y113-100E,115
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
NXP
N/A
22+
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

BUK9Y113-100E,115
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
1500
NEXPERIA
主營優(yōu)勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

1/1頁 40條/頁共7條
1

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功能描述
MOSFET N-CH 100V LFPAK
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
12A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
8.4nC @ 5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
870pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
110 毫歐 @ 5A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼
SC-100，SOT-669
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

BUK9Y113-100E,115 技術(shù)參數(shù)

BUK9Y11-30B/C1,115 功能描述:MOSFET N-CH LFPAK 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件狀態(tài):停產(chǎn) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 BUK9Y11-30B,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1614pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y107-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.8A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:706pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:37W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:98 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y104-100B,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14.8A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1139pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:59W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y09-40B,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2866pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:105.3W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y15-60E,115 BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B/C2,115 BUK9Y19-75B,115 BUK9Y21-40E,115 BUK9Y22-100E,115 BUK9Y22-30B,115 BUK9Y25-60E,115 BUK9Y25-80E,115 BUK9Y27-40B,115 BUK9Y29-40E,115 BUK9Y30-75B,115 BUK9Y30-75B/C2,115 BUK9Y38-100E,115 BUK9Y3R0-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y40-55B,115