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BUK9M23-80EX

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • BUK9M23-80EX
    BUK9M23-80EX

    BUK9M23-80EX

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1210

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • BUK9M23-80EX
    BUK9M23-80EX

    BUK9M23-80EX

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BUK9M23-80EX
    BUK9M23-80EX

    BUK9M23-80EX

  • 廣東濟(jì)德精密電子有限公司
    廣東濟(jì)德精密電子有限公司

    聯(lián)系人：林

    電話：13288088530

    地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號(hào)2棟2樓

  • 4500

  • NEXPERIA

  • NA

  • 近兩年

  • -

  • 查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

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  • 1
BUK9M23-80EX PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • 汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 37A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 20nC @ 5V
  • Vgs（最大值）
  • ±10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 2808pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 79W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 20 毫歐 @ 10A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • LFPAK33
  • 封裝/外殼
  • SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
BUK9M23-80EX 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9M19-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1814pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9M17-30EX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:37A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:725pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:44W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9M156-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.3A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.4nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:695pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:36W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9M15-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:47A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.45V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2230pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9M14-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:44A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.3nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1211pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:55W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9M5R2-30EX BUK9M6R6-30EX BUK9M7R2-40EX BUK9M85-60EX BUK9M9R1-40EX BUK9MJT-55PRF,518 BUK9Y07-30B,115 BUK9Y09-40B,115 BUK9Y104-100B,115 BUK9Y107-80EX BUK9Y11-30B,115 BUK9Y11-30B/C1,115 BUK9Y113-100E,115 BUK9Y11-80EX BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-55B,115 BUK9Y12-80E,115
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