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BUK9M7R2-40EX

BUK9M7R2-40EX
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1358
NXP
SOT1210
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

BUK9M7R2-40EX
深圳市瑞智芯科技有限公司
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聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4500
Nexperia
N/A
24+
-
瑞智芯只做原裝上傳有貨

BUK9M7R2-40EX
深圳市眾芯微電子有限公司
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聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK33
18+
-
MOSFET N-CH 40V 70A ...

BUK9M7R2-40EX
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
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聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT1210
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

BUK9M7R2-40EX
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BUK9M7R2-40EX
深圳市華盛錦科技有限公司
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聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強(qiáng)街道賽格廣場55樓5566室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
36890
NEXPERIA
SOT1210
21+原廠授權(quán)
-

BUK9M7R2-40EX
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4040
NXP
SOT1210
2218+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
70A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
19.7nC @ 5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2567pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
79W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
5.8 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
LFPAK33
封裝/外殼
SOT-1210，8-LFPAK33
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

BUK9M7R2-40EX 技術(shù)參數(shù)

BUK9M6R6-30EX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2001pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9M5R2-30EX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2467pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9M53-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:683pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:36W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9M52-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17.6A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:407pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:31W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9M43-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2309pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y113-100E,115 BUK9Y11-80EX BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-55B,115 BUK9Y12-80E,115 BUK9Y14-40B,115 BUK9Y14-80E,115 BUK9Y15-100E,115 BUK9Y153-100E,115 BUK9Y15-60E,115 BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B/C2,115 BUK9Y19-75B,115 BUK9Y21-40E,115 BUK9Y22-100E,115 BUK9Y22-30B,115