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BUK9M42-60EX

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BUK9M42-60EX
    BUK9M42-60EX

    BUK9M42-60EX

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 14200

  • Nexperia

  • SOT-1210

  • 2022+

  • -
  • 原裝正品,公司現(xiàn)貨庫存假一罰十,電話:0...

  • BUK9M42-60EX
    BUK9M42-60EX

    BUK9M42-60EX

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1210

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • BUK9M42-60EX
    BUK9M42-60EX

    BUK9M42-60EX

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP/恩智浦

  • 22+

  • N/A

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
BUK9M42-60EX PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 22A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 8.3nC @ 5V
  • Vgs(最大值)
  • ±10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 867pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 44W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 37 毫歐 @ 5A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • LFPAK33
  • 封裝/外殼
  • SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線)
  • 標準包裝
  • 1
BUK9M42-60EX 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9M35-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):26A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13.5nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1804pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):31 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線) 標準包裝:1 BUK9M34-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):29A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):24.7nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2844pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):79W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線) 標準包裝:1 BUK9M28-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):16.7nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2275pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):75W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線) 標準包裝:1 BUK9M24-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.4nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1469pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):55W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線) 標準包裝:1 BUK9M24-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.7nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):798pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):44W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33 標準包裝:1 BUK9Y07-30B,115 BUK9Y09-40B,115 BUK9Y104-100B,115 BUK9Y107-80EX BUK9Y11-30B,115 BUK9Y11-30B/C1,115 BUK9Y113-100E,115 BUK9Y11-80EX BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-55B,115 BUK9Y12-80E,115 BUK9Y14-40B,115 BUK9Y14-80E,115 BUK9Y15-100E,115 BUK9Y153-100E,115 BUK9Y15-60E,115 BUK9Y19-100E,115
配單專家

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