參數(shù)資料
型號： AS6C1008-55PCN
廠商： ALLIANCE MEMORY INC
元件分類： SRAM
英文描述： IC,AS6C1008-55PCN,DIP-32 LP SRAM,55NS,128K X 8,2.7-5.5V
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDIP32
封裝： 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-32
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 2717K
代理商： AS6C1008-55PCN
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Terminal Voltage with Respect to VSS
VTERM
-0.5 to 7.0
V
0 to 70(C grade)
T
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
g
n
it
a
r
e
p
O
A
-40 to 85(I grade)
C
T
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
e
g
a
r
o
t
S
STG
-65 to 150
C
P
n
o
it
a
p
i
s
i
D
r
e
w
o
P
D
1
W
I
t
n
e
r
u
C
t
u
p
t
u
O
C
D
OUT
50
mA
Soldering Temperature (under 10 sec)
TSOLDER
260
C
*Stresses greater than those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress
rating only and functional operation of the device or any other conditions above those indicated in the operational sections of this
specification is not implied. Exposure to the absolute maximum rating conditions for extended period may affect device reliability.
TRUTH TABLE
MODE
CE#
CE2
OE#
WE#
I/O OPERATION
SUPPLY CURRENT
H
X
High-Z
ISB1
Standby
X
L
X
High-Z
ISB1
Output Disable
L
H
High-Z
ICC,ICC1
Read
L
H
L
H
DOUT
ICC,ICC1
Write
L
H
X
L
DIN
ICC,ICC1
Note: H = VIH, L = VIL, X = Don't care.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP. *4
MAX.
UNIT
Supply Voltage
VCC
V
5
.
5
0
.
3
7
.
2
Input High Voltage
VIH*1
V
-
c
V
*
7
.
0
CC
+0.3
V
Input Low Voltage
VIL*2
V
6
.
0
-
2
.
0
-
Input Leakage Current
ILI
VCC ≧ VIN ≧ VSS
- 1
-
1
A
Output Leakage
Current
ILO
VCC ≧ VOUT ≧ VSS,
Output Disabled
- 1
-
1
A
Output High Voltage
VOH IOH
V
-
7
.
2
.
2
A
m
1
-
=
Output Low Voltage
VOL
IOL = 2mA
-
0.4
V
- 55
-
10
60
mA
ICC
Cycle time = Min.
CE# = VIL and CE2 = VIH,
II/O = 0mA
Average Operating
Power supply Current
ICC1
Cycle time = 1s
CE#≦0.2V and CE2≧VCC-0.2V,
II/O = 0mA
other pins at 0.2V or VCC-0.2V
-
1
10
mA
C*
-
1
20
A
Standby Power
Supply Current
ISB1
CE# V
≧ CC
-0.2V
or CE2≦0.2V
I*
-
1
50
A
*C=Commercial temperature/I= Industrial temperature
February 2007
128K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
AS6C1008
02/February/07, v 1.0
Alliance Memory Inc.
Page 3 of 14
相關PDF資料
PDF描述
AS6C4008-55PCN IC,AS6C4008-55PCN,DIP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C4008-55SIN IC,AS6C4008-55SIN,SOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C4008-55STIN IC,AS6C4008-55STIN,STSOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C4008-55TIN IC,AS6C4008-55TIN,TSOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C6264-55PCN IC,AS6C6264-55PCN,DIP-28 LP SRAM,55NS,8K X 8,2.7-5.5V
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AS6C1008-55PIN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SIN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SINL 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SINLTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SINTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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