參數(shù)資料
型號(hào)： AS6C1008-55PCN
廠商： ALLIANCE MEMORY INC
元件分類： SRAM
英文描述： IC,AS6C1008-55PCN,DIP-32 LP SRAM,55NS,128K X 8,2.7-5.5V
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDIP32
封裝： 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-32
文件頁(yè)數(shù)： 1/14頁(yè)
文件大?。?/td> 2717K
代理商： AS6C1008-55PCN
FEATURES
Access time :55ns
Low power consumption:
Operating current:10 mA (TYP.)
Standby current: 1 A (TYP.)
Fully Compatible with all Competitors 3.3V product
Fully static operation
Tri-state output
Data retention voltage : 1.5V (MIN.)
All products are ROHS Compliant
Package : 32-pin 450 mil SOP
32-pin 600 mil P-DIP
32-pin 8mm x 20mm TSOP-I
32-pin 8mm x 13.4mm sTSOP
36-ball 6mm x 8mm TFBGA
GENERALDESCRIPTION
The AS6C1008 is a 1,048,576-bit low power
CMOS static random access memory organized as
131,072 words by 8 bits. It is fabricated using very
high performance, high reliability CMOS technology. Its
standby current is stable within the range of
operating temperature.
The AS6C1008 is well designed for very low power
system applications, and particularly well suited for
battery back-up non-volatile memory application.
The AS6C1008 operates from a single power supply
of 2.7V ~ 5.5V.
.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DECODER
I/O DATA
CIRCUIT
CONTROL
CIRCUIT
128Kx8
MEMORY ARRAY
COLUMN I/O
A0-A16
Vcc
Vss
DQ0-DQ7
CE#
WE#
OE#
CE2
PIN DESCRIPTION
SYMBOL
DESCRIPTION
A0 - A16
Address Inputs
DQ0 – DQ7
Da ta Inputs/Outputs
CE#, CE2
Chip Enable Inputs
WE#
Write Enable Input
OE#
Output Enable Input
VCC
Pow er Supply
VSS
G round
NC
No C onnection
Single 2.7V ~ 5.5V power supply
Fully Compatible with all Competitors 5V product
February 2007
128K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
AS6C1008
02/February/07, v 1.0
Alliance Memory Inc.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS6C4008-55PCN IC,AS6C4008-55PCN,DIP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C4008-55SIN IC,AS6C4008-55SIN,SOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C4008-55STIN IC,AS6C4008-55STIN,STSOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C4008-55TIN IC,AS6C4008-55TIN,TSOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C6264-55PCN IC,AS6C6264-55PCN,DIP-28 LP SRAM,55NS,8K X 8,2.7-5.5V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS6C1008-55PIN 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SIN 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SINL 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SINLTR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SINTR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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