參數(shù)資料
型號： AS6C1008-55PCN
廠商： ALLIANCE MEMORY INC
元件分類： SRAM
英文描述： IC,AS6C1008-55PCN,DIP-32 LP SRAM,55NS,128K X 8,2.7-5.5V
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDIP32
封裝： 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-32
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大小： 2717K
代理商： AS6C1008-55PCN
相關PDF資料
PDF描述
AS6C4008-55PCN IC,AS6C4008-55PCN,DIP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C4008-55SIN IC,AS6C4008-55SIN,SOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C4008-55STIN IC,AS6C4008-55STIN,STSOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C4008-55TIN IC,AS6C4008-55TIN,TSOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
AS6C6264-55PCN IC,AS6C6264-55PCN,DIP-28 LP SRAM,55NS,8K X 8,2.7-5.5V
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AS6C1008-55PIN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SIN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SINL 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SINLTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C1008-55SINTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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