參數(shù)資料
型號(hào)： AS5130-ASST-500
廠商： ams
文件頁(yè)數(shù)： 26/33頁(yè)
文件大?。?/td> 4323K
描述： IC ENCODER ROTORY 8-BIT 16-SSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 500
傳感范圍： 32mT ~ 75mT
類型： 線性，旋轉(zhuǎn)編碼器 - 可編程
電源電壓： 4.5 V ~ 5.5 V
電流 - 電源： 24mA
輸出類型： 模擬，比率
特點(diǎn)： 可編程
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： *
供應(yīng)商設(shè)備封裝： *
包裝： *
www.austriamicrosystems.com/AS5130
Revision 1.12
25 - 41
AS5130
Datasheet - Detailed Description
Figure 19. Wake Up Signal Flowchart
Figure 21 shows the behavior of the wake up signal. The wake up signal will be low for t
wakeup
 = 10us. After that, the wake up signal will go to tri-
state condition. In case of an angle comparison with a result below the threshold, the signal will remain in tri-state condition. After switching on
VDD, the system needs max. 250us to generate an angle with maximum accuracy. A WAKE signal cannot be expected until the end of this
period.
WAKE Interface. An open drain NMOS structure is used in the WAKE pad. In order to generate a clear output signal level, a pull up resistor is 
required. The pad can drive 4mA.
Figure 20. WAKE Output Pin
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
VDD on (fast)
store_ok
POR
LO
LO
HI
HI
reset & reset_storage
reset digital core only
Retrieve values from storage registers
WAKE (26 clk periods)
Wait (162 clks - 86us ... 95us)
Compare mode
WAKE_ON
Normal mode
store_ok ?
Copy to Storage
Normal mode
OTP readout (46bit - 140us ... 400us)
true
true
false
false
WAKE (20 clk periods)
command rst_otp
OTP readout (OTP <8> = HI
|   measured     stored| >    threshold
pull up
resistor
WAKE
PAD
AS5130
VDD
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PDF描述
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參數(shù)描述
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