參數(shù)資料
型號(hào)： AS4LC8M8S0-75TC
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
中文描述： 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 22/24頁
文件大小： 566K
代理商： AS4LC8M8S0-75TC
22
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
7/5/00
AS4LC4M16S0
AS4LC16M4S0
Interleaved bank read waveform
(BL = 8, CL = 3, Autoprecharge)
BA0 and BA1 together determine which bank undergoes operations. AP = internal precharge begins.
Interleaved bank write waveform
(BL = 8)
BA0 and BA1 together determine which bank undergoes operations.
CLK
CS
RAS
CAS
WE
A10
A0–A9, A11
DQM
CKE
DQ
QA
a0
QA
a1
QA
a2
QA
a3
QA
a4
QA
a5
QA
a6
t
RRD
QB
b0
QB
b1
QA
a7
t
RC
t
RC
t
RAS
t
RAS
t
RP
tRAS
t
RP
t
RCD
t
RCD
t
RCD
CA
a
RA
a
RB
b
RB
b
CA
b
CA
c
RA
a
RA
c
RA
c
QB
b4
QB
b5
QB
b6
QA
c0
QA
c0
t
RRD
Active
Read
Active
Read
Bank A
Bank B
AP
Active
Read
AP
BA0/BA1
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
CLK
CS
RAS
CAS
WE
A10
A0-A9,A11
DQM
CKE
DQ
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RAS
t
RCD
t
RCD
t
RCD
CA
a
RA
a
RB
b
RB
b
CA
b
CA
c
RA
a
RA
c
RA
c
DA
a0
DA
a1
DA
a4
DA
a5
DA
a6
DA
a7
DB
b0
DB
b1
DB
b2
DB
b3
DB
b4
DB
b5
DB
b6
DB
b7
DA
c0
DA
c1
DA
c2
Active
Write
Active
Write
Bank A
Bank B
Active
Write
Precharge
Precharge
BA0/BA1
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC8M8S0-8TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
AS4LC4M4E0 4M × 4 CMOS DRAM (EDO) Family(4M × 4 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）系列)
AS4LC4M4E1 4M × 4 CMOS DRAM (EDO) Family(4M × 4 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）系列)
AS5020 6-BIT MAGNETIC ANGULAR POSITION ENCODER WITH SERIAL INTERFACE
AS5020T 6-BIT MAGNETIC ANGULAR POSITION ENCODER WITH SERIAL INTERFACE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4LC8M8S0-8TC 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
AS4PD 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Standard Avalanche Surface Mount Rectifiers
AS-4PD 制造商:RALTRON 制造商全稱:RALTRON 功能描述:SURFACE MOUNT MICROPROCESSOR CRYSTAL
AS4PDHM3/86A 功能描述:整流器 4A 200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
AS4PDHM3/87A 功能描述:DIODE STD 4A 200V SMPC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:eSMP™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
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