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參數(shù)資料
| 型號： | AS4LC8M8S0-75TC |
| 廠商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 13/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 566K |
| 代理商： | AS4LC8M8S0-75TC |
AS4LC8M8S0
AS4LC4M16S0
7/5/00
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
13
Concurrent Auto-P Waveforms
According to Intel ’s specification, auto-p burst interruption is allowed by another burst provided that the interrupting burst
is in a different bank than the ongoing burst.
(A) RD-P interrupted by RD in another bank (CL = 3, BL = 4)
(B) RD-P interrupted by WR in another bank (CL = 2, BL = 8)
(C) WR-P interrupted by RD in another bank (CL = 2, BL = 4)
* The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
CLK
CMD
(A)
DQ
A
0
A
1
B
0
B
1
B
2
B
3
Bank A Precharge Starts *
RD
(B)
CLK
CMD
(A)
DQ
Q
A0
Q
A1
D
N(B0)
D
(B1)
D
(B2)
Bank A Precharge Starts *
(B)
DQM
D
(B7)
CLK
CMD
WRP
(A)
DQ
D
(A0)
D
(A1)
Q
B0
Q
B1
Q
B2
Bank A Precharge Starts *
RD
(B)
Q
B3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4LC8M8S0-8TC | 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
| AS4LC4M4E0 | 4M × 4 CMOS DRAM (EDO) Family(4M × 4 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線）系列) |
| AS4LC4M4E1 | 4M × 4 CMOS DRAM (EDO) Family(4M × 4 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線）系列) |
| AS5020 | 6-BIT MAGNETIC ANGULAR POSITION ENCODER WITH SERIAL INTERFACE |
| AS5020T | 6-BIT MAGNETIC ANGULAR POSITION ENCODER WITH SERIAL INTERFACE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4LC8M8S0-8TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
| AS4PD | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Standard Avalanche Surface Mount Rectifiers |
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