參數(shù)資料
型號(hào)： AS4LC4M16S0
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 3.3分× 16的CMOS同步DRAM（3.3分× 16的CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 23/24頁(yè)
文件大小： 566K
代理商： AS4LC4M16S0
AS4LC8M8S0
AS4LC4M16S0
7/5/00
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
23
Interleaved bank write waveform
(BL = 8, Autoprecharge)
BA0 and BA1 together determine which bank undergoes operations. AP = internal precharge begins
CLK
CS
RAS
CAS
WE
A10
A0-A9.A11
DQM
CKE
DQ
Active
Write
Active
Write
Bank A
Bank B
Active
Write
AP Bank A
AP Bank B
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RAS
t
RAS
t
RCD
t
RCD
t
RCD
CA
a
RA
a
RB
b
RB
b
CA
b
CA
c
RA
a
RA
c
RA
c
DA
a0
DA
a1
DA
a4
DA
a5
DA
a6
DA
a7
DB
b0
DB
b1
DB
b2
DB
b3
DB
b4
DB
b5
DB
b6
DB
b7
DA
c0
DA
c1
DA
c2
BA0/BA1
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AS4LC4M16S0-10FTC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
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