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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AO4914 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode |
| 中文描述： | 雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | AO4914 |
Symbol
V
DS
V
GS
Max Q2
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
V
DS
I
FM
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Power Dissipation
A
W
1.28
-55 to 150
°C
2
T
A
=70°C
Pulsed Diode Forward Current
B
Continuous Forward
Current
A
P
D
I
F
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Units
V
30
3
T
A
=25°C
Parameter
Reverse Voltage
A
2.2
20
Maximum Schottky
Max Q1
30
±20
8.5
6.6
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
P
D
Pulsed Drain Current
B
Continuous Drain
Current
A
I
D
A
6.6
30
2
1.28
30
2
8.5
W
-55 to 150
-55 to 150
1.28
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Gate-Source Voltage
±20
30
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
AO4914
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with
Schottky Diode
Rev 6: May 2005
Features
Q1 Q2
V
DS
(V) = 30V V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A I
D
= 8.5A
R
DS(ON)
< 18m
<18m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 28m
<28m
(V
GS
= 4.5V)
SCHOTTKY
V
DS
(V) = 30V, I
F
= 3A, V
F
<0.5V@1A
General Description
The AO4914 uses advanced trench technology to provide
excellent R DS(ON) and low gate charge. The two
MOSFETs make a compact and efficient switch and
synchronous rectifier combination for use in DC-DC
converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel
with the synchronous MOSFET to boost efficiency further
AO4914 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AO4914L is a Green Product ordering
option. AO4914 and AO4914L are electrically identical.
SOIC-8
G1
S1
G2
S2/A
D1
D1
D2/K
D2/K
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
D2
S2
K
A
G1
D1
S1
Q1
Q2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4916A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode |
| AO4916AL | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode |
| AO4918A | NYLON INSULATED W/INSULATION GRIP BUTT CONNECTOR |
| AO4918AL | Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4918 | Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4914_101 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20.5 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:865pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AO4914_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode |
| AO4914A | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode |
| AO4914AL | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode |
| AO4914L | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20.5 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:865pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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