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參數(shù)資料
| 型號： | AM70PDL127CDH |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 2 x 64 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Page Mode Flash Memory Data Storage 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS |
| 中文描述： | 2 × 64兆位（8米× 16位）的CMOS 3.0伏特，只有頁面模式閃存數(shù)據(jù)存儲128兆位（8米× 16位）的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 78/127頁 |
| 文件大?。?/td> | 849K |
| 代理商： | AM70PDL127CDH |
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76
Am70PDL127CDH/Am70PDL129CDH
November 24, 2003
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
TIMING DIAGRAMS
Figure 26.
Timing Waveform of Read Cycle 1
Figure 27.
Timing Waveform of Read Cycle 2
Notes:
1. t
HZ
and t
OZ
are defined as the time at which the outputs
achieve the open circuit conditions and are not
referenced to output voltage levels.
2. At any given temperature and voltage condition, t
HZ
(Max) is
less than t
LZ
(Min) both for a given device and from device
interconnection.
3. t
OE
(Max) is met only when OE# becomes enabled after t
AA
(Max).
4. If invalid address signals shorter than min. t
RC
are
continuously repeated for over 4 us, the device needs a
normal read timing (t
RC
) or needs to sustain standby state
for min. t
RC
at least once in every 4 us.
Address
Data Out
Previous Data Valid
Data Valid
t
AA
t
RC
t
OH
Data Valid
High-Z
t
RC
t
OH
t
AA
t
BA
t
OE
t
OLZ
t
BLZ
t
LZ
t
OHZ
t
BHZ
t
HZ
t
CO
Address
CS#1s
UB#, LB#
OE#
Data out
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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