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參數(shù)資料
| 型號： | AM70PDL127CDH |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 2 x 64 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Page Mode Flash Memory Data Storage 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS |
| 中文描述： | 2 × 64兆位（8米× 16位）的CMOS 3.0伏特，只有頁面模式閃存數(shù)據(jù)存儲128兆位（8米× 16位）的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 74/127頁 |
| 文件大?。?/td> | 849K |
| 代理商： | AM70PDL127CDH |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁當(dāng)前第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁
72
Am70PDL127CDH/Am70PDL129CDH
November 24, 2003
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
FLASH AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#f1 or
CE#f2 (PDL129 only)
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SADD for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
Notes:
1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA = program address, SADD = sector address, PD = program data.
3. DQ7# is the complement of the data written to the device. D
OUT
is the data written to the device.
Figure 22.
Flash Alternate CE#f1 Controlled Write (Erase/Program) Operation Timings
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PDF描述 |
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