- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄298821 > AM29LV640MH101EF (SPANSION LLC) 4M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV640MH101EF |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| 封裝： | MO-142B, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 47/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 1590K |
| 代理商： | AM29LV640MH101EF |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁當(dāng)前第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁
February 16, 2003
Am29LV640MH/L
51
ADV ANCE
I N FO RMAT I O N
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4. Effective write buffer specification is based upon a 16-word/32-byte write buffer operation.
5. Word/Byte programming specification is based upon a single word/byte programming operation not utilizing the write buffer.
6. AC Specifications listed are tested with V
IO = VCC. Contact AMD for information on AC operation with VIO
≠ V
CC.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
90R
101,
101R
112,
112R
120,
120R
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
110
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
45
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
45
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2, 3)
Typ
352
s
Effective Write Buffer Program
Operation (Notes 2, 4)
Per Byte
Typ
11
s
Per Word
Typ
22
s
Accelerated Effective Write Buffer
Program Operation (Notes 2, 4)
Per Byte
Typ
8.8
s
Per Word
Typ
17.6
s
Single Word/Byte Program
Operation (Note 2, 5)
Byte
Typ
100
s
Word
100
Single Word/Byte Accelerated
Programming Operation (Note 2,
5)
Byte
Typ
90
Word
90
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
t
RH
RESET# High Time Before Write
Min
50
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM2D-11G | ACTIVE DELAY LINE, TRUE OUTPUT, PDSO8 |
| AI4D-4J | ACTIVE DELAY LINE, TRUE OUTPUT, PDSO14 |
| AM3D-11J | ACTIVE DELAY LINE, TRUE OUTPUT, PDSO8 |
| AM3D-25J | ACTIVE DELAY LINE, TRUE OUTPUT, PDSO8 |
| AM3D-35J | ACTIVE DELAY LINE, TRUE OUTPUT, PDSO8 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV640MH112REI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:4M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56 |
| AM29LV640MU101RPCI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV640MU90NI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV640MU90RPC1 | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV640MU90RPCI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。