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參數(shù)資料
| 型號： | AM29BDS643GT7GVAF |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 9.20 X 8 MM, 0.50 MM PITCH, FBGA-44 |
| 文件頁數(shù)： | 33/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 833K |
| 代理商： | AM29BDS643GT7GVAF |
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May 8, 2006 25692A2
Am29BDS643G
37
D A TA
SH EE T
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
3. Does not include the preprogramming time.
Parameter
Description
7G/7M
5K
Unit
JEDEC
Standard
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
80
45
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
5
4
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
7
6
ns
tAVDP
AVD# Low Time
Min
12
11
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
45
25
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
Typ
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Typ
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Typ
0
ns
tWLWH
tWP/tWRL
Write Pulse Width
Typ
50
25
ns
tWHWL
tWPH
Write Pulse Width High
Typ
30
20
ns
tSR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
tWHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
11.5
s
tWHWH1
Accelerated Programming Operation (Note 2)
Typ
4
s
tWHWH2
Sector Erase Operation (Notes 2, 3)
Typ
0.4
sec
tVPP
VPP Rise and Fall Time
Min
500
ns
tVPS
VPP Setup Time (During Accelerated Programming)
Min
1
s
tVCS
VCC Setup Time
Min
50
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29DL162DB90PCI | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64 |
| AM29DL322GT70WMIN | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| AM29DL324GB12PCI | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA64 |
| AM29DL324GT12WMIN | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA48 |
| AM29DL800BT70RSF | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO44 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29BL802CB-65RZET | 制造商:Spansion 功能描述: |
| AM29C01WW WAF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29C10API | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| AM29C10AWW DIE | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29C116-1JC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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