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參數(shù)資料
| 型號： | A28F200BR-B |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 2-MBIT (256K x 8) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 中文描述： | 2兆位（256K × 8）開機(jī)區(qū)塊快閃記憶體（2兆位（128K的× 16）引導(dǎo)塊閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 11/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 440K |
| 代理商： | A28F200BR-B |
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E
A28F200BR
11
ADVANCE INFORMATION
Table 2. Bus Operations for Word-Wide Mode (BYTE# = V
IH
)
Mode
Notes
RP#
CE#
OE#
WE#
A
9
A
0
V
PP
DQ
0-15
Read
1,2,3
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
D
OUT
Output Disable
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
X
High Z
Standby
V
IH
V
IH
X
X
X
X
X
High Z
Deep Power-Down
9
V
IL
X
X
X
X
X
X
High Z
Intelligent Identifier (Mfr)
4
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
ID
V
IL
X
0089 H
Intelligent Identifier
(Device)
4,5
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
ID
V
IH
X
See Table 4
Write
6,7,8
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
X
X
X
D
IN
Table 3. Bus Operations for Byte-Wide Mode (BYTE# = V
IL
)
Notes
RP#
CE#
OE#
WE#
Mode
A
9
A
0
A
-1
V
PP
DQ
0-7
DQ
8-14
Read
1,2,3
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
X
D
OUT
High Z
Output Disable
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
X
X
High Z
High Z
Standby
V
IH
V
IH
X
X
X
X
X
X
High Z
High Z
Deep Power-
Down
9
V
IL
X
X
X
X
X
X
X
High Z
High Z
Intelligent
Identifier (Mfr)
4
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
ID
V
IL
X
X
89H
High Z
Intelligent
Identifier
(Device)
4,5
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
ID
V
IH
X
X
See
Table 4
High Z
Write
6,7,8
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
X
X
X
X
D
IN
High Z
NOTES:
1. Refer to DC Characteristics.
2. X can be V
IL
, V
IH
for control pins and addresses, V
PPLK
or V
PPH
for V
PP
.
3. See DC Characteristics for V
PPLK
, V
PPH
1, V
PPH
2, V
HH
, V
ID
voltages.
4. Manufacturer and Device codes may also be accessed via a CUI write sequence, A
1
-A
17
= X, A
1
-A
18
= X.
5. See Table 4 of Device IDs.
6. Refer to Table 5 for valid D
IN
during a write operation.
7. Command writes for Block Erase or Word/ByteProgram are only executed when V
PP
= V
PPH
1 or V
PPH
2.
8. To program or erase the boot block, hold RP# at V
HH
or WP# at V
IH
.
9. RP# must be at GND
±
0.2V to meet the maximum deep power-down current specified.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A28F200BR-T | 2-MBIT (128K x 16) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| A28F200BX-B | 2-MBIT (256K x 8) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| A28F400BR-B | 4-MBIT (512K x8) Boot Block Flash Memory(4兆位(512K x8) 引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| A28F400BR-T | 4-MBIT (256K x16) Boot Block Flash Memory(4兆位 (256K x16)引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| A28F400BX-B | 4-MBIT (512K x8) Boot Block Flash Memory(4兆位(512K x8) 引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| A28F200BX-B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:A28F200BX-B - 2-MBIT (128K x 16. 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| A28F200BX-T | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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