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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A160CB15VD |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位/ 1個(gè)M x 16位），1.8伏的CMOS只超低電壓快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 47/52頁 |
| 文件大小： | 614K |
| 代理商： | A160CB15VD |
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January23,2007 21635C5
Am29SL160C
45
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
Notes:
1. PA = program address, PD = program data, DQ7# = complement of the data written, D
OUT
= data written
2. Figure indicates the last two bus cycles of command sequence.
3. Word mode address used as an example.
Figure 25.
Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A160CB15VF | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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