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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A160CB15VD |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位/ 1個(gè)M x 16位），1.8伏的CMOS只超低電壓快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 44/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 614K |
| 代理商： | A160CB15VD |
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42
Am29SL160C
21635C5 January23,2007
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time
Min
500
ns
t
VHH
V
HH
Rise and Fall Time
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
V
ID
0 or 1.8 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 1.8 V
Figure 22.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A160CB15VF | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| A160CT10VC | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| A160CT10VD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| A160CT10VF | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A160CB15VF | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
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| A160CT10VF | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
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