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參數(shù)資料
| 型號： | 50MT060ULSTAPBF |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 單結(jié)晶體管 |
| 英文描述： | TRANSISTOR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, MTP, 10 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 100 Amp Low Side Chopper |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | 50MT060ULSTAPBF |
Document Number: 95175
Revision: 18-Mar-08
For technical questions, contact:
indmodules@vishay.com
www.vishay.com
1
MTP
Outline Dimensions
Vishay Semiconductors
DIMENSIONS
in millimeters
Note
Unused terminals are not assembled in the package
1.1
5
3
33
31.8
1
4
2
2
8 7
6 5
4 3
2
1
13
9
10
11
12
1.8
8
4
5.4 ± 0.1
5.7 ± 0.1
1.2 ± 0.1
7.2 ± 0.1
7.8 ± 0.1
3 ± 0.1
2
1
±
1
±
R2.6 (x 3)
R5.8 (x 2)
8.7 ± 0.1
6 ± 0.1
3 ± 0.1
39.5 ± 0.1
8.5 ± 0.1
44.5
48.7
63.5 ± 0.25
1.3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 50N06 | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 50N06L-X-TA3-T | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 50N06L-X-TF3-T | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 50N06-TA3-T | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 50N06-TF3-T | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 50MT060WH | 功能描述:IGBT WARP 600V 114A MTP RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| 50MT060WHA | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| 50MT060WHPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT MODULE MTP |
| 50MT060WHT | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE MTP |
| 50MT060WHTA | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE IGBT MTP |
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