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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 50MT060ULSTAPBF |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 單結(jié)晶體管 |
| 英文描述： | TRANSISTOR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, MTP, 10 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 100 Amp Low Side Chopper |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | 50MT060ULSTAPBF |
50MT060ULSTAPbF
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Revision: 17-Jun-11
7
Document Number: 94540
For technical questions, contact:
indmodules@vishay.com
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www.vishay.com/doc91000
Fig. 16 - Typical Recovery Current vs. dI
F
/dt
Fig. 17 - Typical Stored Charge vs.dI
F
/dt
Fig. 18 - Typical dI
(rec)M
/dt vs. dI
F
/dt
Fig. 19 - Electrical diagram
100
200
300
400
500
600
dif / dt - (A / μs)
0
10
20
30
40
I
VR = 480V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IF= 100A
IF= 50A
IF= 25A
100
200
300
400
500
600
dif / dt - (A / μs)
0
400
800
1200
1600
2000
Q
VR = 480V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IF= 100A
IF= 50A
IF= 25A
100
200
300
400
500
600
dif / dt - (A / μs)
100
1000
10000
d
VR = 480V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IF= 100A
IF = 50A
IF = 25A
3, 4
5, 6
9
10
7, 8
T
2
R
1
Thermistor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 50MT060WH | 功能描述:IGBT WARP 600V 114A MTP RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| 50MT060WHA | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| 50MT060WHPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT MODULE MTP |
| 50MT060WHT | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE MTP |
| 50MT060WHTA | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE IGBT MTP |
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