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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 50MT060ULSTAPBF |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 單結(jié)晶體管 |
| 英文描述： | TRANSISTOR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, MTP, 10 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 100 Amp Low Side Chopper |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/10頁(yè) |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | 50MT060ULSTAPBF |
50MT060ULSTAPbF
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Revision: 17-Jun-11
4
Document Number: 94540
For technical questions, contact:
indmodules@vishay.com
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www.vishay.com/doc91000
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Fig. 4 - Maximum Collector Current vs. Case Temperature
Fig. 5 - Typical Collector to Emitter Voltage vs.
Junction Temperature
Fig. 6 - Maximum Transient Thermal Impedance, Junction to Case (IGBT)
1
10
100
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
V
CE
, Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
Vge = 15V
380
μ
s Pulse Width
5.0
5.5
6.0
6.5
VGE, Gate-to-Emitter Voltage (V)
1.0
10.0
100.0
1000.0
I
TJ= 25°C
TJ= 150°C
VCC= 50V
20μs PULSE WIDTH
25
50
TCCase Temperature (°C)
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
I
20
40
60
80
100
120
140
160
TJ , Junction Temperature (°C)
1
1.25
1.5
1.75
2
V
IC= 100A
IC= 50A
IC= 25A
1E-006
1E-005
0.0001
t1, Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.060 0.000968
0.130 0.019621
0.100 0.051755
J
τ
J
1
τ
1
2
τ
2
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
C
Ci
i
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 50N06 | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 50N06L-X-TA3-T | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 50N06L-X-TF3-T | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 50N06-TA3-T | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 50N06-TF3-T | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 50MT060WH | 功能描述:IGBT WARP 600V 114A MTP RoHS:否 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| 50MT060WHA | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| 50MT060WHPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT MODULE MTP |
| 50MT060WHT | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE MTP |
| 50MT060WHTA | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE IGBT MTP |
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