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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 3SK194 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 3SK194 |
3SK194
6
Power Gain vs. Drain to Source Voltage
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
P
20
16
12
8
4
0
4
8
12
20
16
V
G2S
= 3 V
I
f = 900 MHz
Noise Figure vs. Drain Current
Drain Current I
D
(mA)
N
5
4
3
2
1
0
4
8
12
20
16
V
DS
= 6 V
V
= 3 V
f = 200 MHz
Noise Figure vs. Drain Current
Drain Current I
D
(mA)
N
10
8
6
4
2
0
4
8
12
20
16
V
DS
= 6 V
V
= 3 V
f = 900 MHz
Noise Figure vs.
Drain to Source Voltage
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
N
5
4
3
2
1
0
4
8
12
20
16
V
G2S
= 3 V
I
f = 200 MHz
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PDF描述 |
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