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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK194 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | 3SK194 |
3SK194
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
Pch
15
V
Gate 1 to source voltage
±
10
±
10
V
Gate 2 to source voltage
V
Drain current
35
mA
Channel power dissipation
150
mW
Channel temperature
Tch
125
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +125
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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