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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK194 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | 3SK194 |
3SK194
4
Maximum Channel Power
Dissipation Curve
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
c
200
300
100
0
50
100
150
Typical Output Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
0.8
20
16
12
8
4
0
2
4
6
10
8
0.6
0.4
0.2
V
G1S
= 0
V
G2S
= 3 V
Drain Current vs. Gate 1 to
Source Voltage
Gate 1 to Source Voltage V
G1S
(V)
D
D
2
20
16
12
8
4
0
0
1
–1
2
4
3
1
1.5
0.5
V
G2S
= 0 V
V
DS
= 6 V
Drain Current vs. Gate 2 to
Source Voltage
Gate 2 to Source Voltage V
G2S
(V)
D
D
20
16
12
8
4
0
0
1
–1
2
4
3
1
1.5
0.5
V
G1S
= 0 V
V
DS
= 6 V
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PDF描述 |
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