參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5785
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅npn型外延式
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 182K
代理商： 2SC5785
2SC5785
2001-12-17
4
Pulse width t
w
(s)
r
th
– t
w
T
r
t
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Safe Operating Area
C
C
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
1000
Curves should be applied in thermal limited area.
Single nonrepetitive pulse Ta
=
25°C
Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu
area: 645 mm
2
)
100
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
IC max (pulsed)
DC operation
*
(Ta
=
25°C)
V
IC max (continuous)
10 s
*
10 ms
1 ms
100 ms
*
: Single nonrepetitive pulse
Ta
=
25°C
Note that the curves for 100 ms
*
,
10 s
*
and DC operation
*
will be
different when the devices aren’t
mounted on an FR4 board (glass
epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
). These characteristic
curves must be derated linearly
with increase in temperature.
100
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5788 Silicon NPN epitaxial planar type
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2SC5792 IC - FLASH, 128 MBIT (8M X 16/4M X 32), 3.3V, 80 F
2SC5809 Shrink Tubing; Tubing Size Diameter:0.75"; Wall Thickness Recovered Nominal:0.065"; Inner Diameter Max Recovered:0.313"; Expanded Inner Diameter:0.750"; Material:Polyolefin
2SC5810 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
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參數(shù)描述
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