參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5810
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅npn型外延式
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： 2SC5810
2SC5810
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5810
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
Strobe Applications
High DC current gain: h
FE
= 400 to 1000 (I
C
= 0.1 A)
Low collector-emitter saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.17 V (max)
High-speed switching: t
f
= 85 ns (typ.)
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
100
V
V
CEX
80
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
7
V
DC
I
C
1.0
Collector current
Pulse
I
CP
2.0
A
Base current
I
B
0.1
A
DC
2.0
Collector power
dissipation
t = 10 s
P
C
(Note)
1.0
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Note: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
2
)
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= 100 V, I
E
= 0
―
―
100
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= 7 V, I
C
= 0
―
―
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR) CEO
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
50
―
―
V
h
FE
(1)
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.1 A
400
―
1000
DC current gain
h
FE
(2)
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.3 A
200
―
―
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
= 300 mA, I
B
= 6 mA
―
―
0.17
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
= 300 mA, I
B
= 6 mA
―
―
1.10
V
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
―
5
―
pF
Rise time
t
r
―
35
Storage time
t
stg
―
680
―
Switching time
Fall time
t
f
See Figure 1.
V
CC
≈
30 V, R
L
=
100
I
B1
=
I
B2
=
10 mA
―
85
―
ns
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5811 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications
2SC5813 Silicon NPN epitaxial planar type
2SC5819 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications
2SC5829 For High Speed Switching
2SC5838 Silicon NPN epitaxial planar type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5810(TE12L,F) 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SC581300L 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SC5819(TE12L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62
2SC582 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC5823-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 1.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*