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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5829 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | For High Speed Switching |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | 0.60 X 1 MM, 0.39 MM HEIGHT, ML3-N2, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | 2SC5829 |
1
Publication date: December 2002
SJC00287AED
Transistors
2SC5829
Silicon NPN epitaxial planar type
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
For high speed switching
■
Features
Allowing the small current and low voltage operation
High transition frequency f
T
Suitable for high-density mounting and downsizing of the equip-
ment for Ultraminiature leadless package
0.6 mm
×
1.0 mm (height 0.39 mm)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
V
EB
=
1.5 V, I
C
=
0
V
CE
=
1 V, I
C
=
1 mA
V
CE
=
1 V, I
C
=
1 mA, f
=
0.8 GHz
V
CB
=
1 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
1
μ
A
μ
A
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
h
FE
1
Forward current transfer ratio
100
200
Transition frequency
f
T
C
ob
4
GHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
0.4
pF
Forward transfer gain
S
21e
2
G
UM
V
CE
=
1 V, I
C
=
1 mA, f
=
0.8 GHz
V
CE
=
1 V, I
C
=
1 mA, f
=
0.8 GHz
V
CE
=
1 V, I
C
=
1 mA, f
=
0.8 GHz
6
dB
Maximum unilateral power gain
15
dB
Noise figure
NF
3.5
dB
Unit: mm
Marking Symbol: X
0
±
1
1.00
±0.05
2
3
0.39
+0.03
0.25
±0.05
0.25
±0.05
0
±
0.65
±0.01
0
±
1
2
0
±
0.05
±0.03
0
±
3
1: Base
2: Emitter
3: Collector
ML3-N2 Package
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
10
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
7
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
2
V
Collector current
10
mA
Collector power dissipation
P
C
50
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5838 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SC5839 | Silicon NPN epitaxial planar type |
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| 2SC5841 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SC5845 | Silicon NPN epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5832-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 55V 2A 1000 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL NPN 55V 55A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC5842001KT | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC584500L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC584600L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5846G0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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