參數(shù)資料
型號： 2SC5841
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： MT-4-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： 2SC5841
Power Transistors
2SC5841
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: November 2002
SJD00298AED
Power supply for Audio & Visual equipments
such as TVs and VCRs
Industrial equipments such as DC-DC converters
■
Features
High-speed switching (t
stg
: storage time/t
f
: fall time is short)
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Superior forward current transfer ratio h
FE
linearity
Allowing supply with the radial taping (MT-4)
■
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
10.0
±
0.2
0.65
±
0.1
0.35
±
0.1
2.5
±
0.2
1
2
3
0.65
±
0.1
1.2
±
0.1
1.48
±
0.2
2.25
±
0.2
C 1.0
0.55
±
0.1
0.55
±
0.1
2.5
±
0.2
1.05
±
0.1
1
±
0
4
±
0
1
±
0
S
5.0
±
0.1
2
±
0
9
1.0
±
0.2
Unit: mm
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
CBO
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
V
CB
=
80 V, I
E
=
0
V
CE
=
80 V, I
B
=
0
V
CE
=
4 V, I
C
=
0.2 A
V
CE
=
4 V, I
C
=
1 A
V
CE
=
4 V, I
C
=
3 A
I
C
=
3 A, I
B
=
375 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.1 A, f
=
10 MHz
I
C
=
1 A, Resistance loaded
I
B1
=
0.1 A, I
B2
=
0.1 A
V
CC
=
50 V
80
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
100
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
100
Forward current transfer ratio
h
FE1
h
FE2
50
80
280
h
FE3
20
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
f
T
0.7
V
Transition frequency
100
MHz
Turn-on time
t
on
0.2
μ
s
μ
s
μ
s
Storage time
t
stg
t
f
0.9
Fall time
0.15
Internal Connection
B
C
E
Marking Symbol: C5841
1: Base
2: Collector
3: Emitter
MT-4-A1 Package
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
80
V
Emitter-base voltage (Collector open)
5
V
Collector current
I
C
3
A
Peak collector current
I
CP
P
C
5
A
Collector power
dissipation
T
C
=
25
°
C
T
a
=
25
°
C
15
W
2
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
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PDF描述
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2SC584500L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC584600L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5846G0L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC584800A 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA 1006 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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