參數(shù)資料
型號： 2SC5846
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： For General Amplification
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： 2SC5846
Transistors
2SC5846
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: August 2003
SJC00298AED
For general amplification
■
Features
High forward current transfer ratio h
FE
SSS-mini type package, allowing downsizing and thinning of the
equipment and automatic insertion through the tape packing
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μΑ
, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μΑ
, I
C
=
0
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
V
CE
=
10 V, I
B
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
2 mA
I
C
=
100 mA, I
B
=
10 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
60
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
7
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
0.1
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
h
FE
100
Forward current transfer ratio
180
390
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
C
ob
0.1
0.3
V
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
2.2
pF
Transition frequency
f
T
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f = 200 MHz
100
MHz
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
60
V
Collector-emitter voltage (Base open)
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
7
V
Collector current
I
C
I
CP
100
mA
Peak collector current
200
mA
Collector power dissipation
P
C
100
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Marking Symbol: 7K
1
±
0
0
±
0
0
0
5
0
0
±
0
0
0.33
(0.40)
(0.40)
0.80
±
0.05
1.20
±
0.05
1
2
3
5
+0.05
0.10
+0.05
0.23
+0.05
1: Base
2: Emitter
3: Collector
SSSMini3-F1 Package
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
SSSMini3-F1 Package
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