參數(shù)資料
型號： 2SC5785
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅npn型外延式
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 182K
代理商： 2SC5785
2SC5785
2001-12-17
2
Marking
3 E
Figure 1 Switching Time Test Circuit &
Timing Chart
I
B2
I
B1
20
μ
s
Output
Input
I
B2
I
B1
R
L
V
CC
Duty cycle
<
1%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5788 Silicon NPN epitaxial planar type
2SC5791 IC - FLASH, 128 MBIT (8M X 16/4M X 32), 3.3V, 80 F
2SC5792 IC - FLASH, 128 MBIT (8M X 16/4M X 32), 3.3V, 80 F
2SC5809 Shrink Tubing; Tubing Size Diameter:0.75"; Wall Thickness Recovered Nominal:0.065"; Inner Diameter Max Recovered:0.313"; Expanded Inner Diameter:0.750"; Material:Polyolefin
2SC5810 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5785(TE12L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 10V 2A hfe1000 25ns PW-M
2SC57880PA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC57880QA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5793-YD 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SC5808-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 2.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 700V 2.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0
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