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參數(shù)資料
| 型號： | 2MBI75U4A-120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁數(shù)： | 7/13頁 |
| 文件大小： | 416K |
| 代理商： | 2MBI75U4A-120 |
H04-004-03a
3
MS5F6060
13
a
2MBI75U4A-120
2. Equivalent circuit
1. Outline Drawing ( Unit : mm )
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2MBP600UN-120V | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MP03SF | 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N1022 | 7 A, 55 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N456A | 7 A, 30 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N1034 | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2MBI75UA-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module U-Series 1200V / 75A 2 in one-package |
| 2MBI75VA-120-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:Dual IGBT Module 75A 1200V 600ns |
| 2MBI800U4G-120 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 800A/1200V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 800A/1200V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.2kA; Collector Emitter Voltage Vces:2.12V; Power Dissipation Pd:4.8kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:Module;;RoHS Compliant: No |
| 2MBI800U4G-170 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT Module Dual 800A 1700V Cu 140x130mm |
| 2MBI800UG-170 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
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