參數(shù)資料
型號(hào)： 2MBI75U4A-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 13/13頁(yè)
文件大?。?/td> 416K
代理商： 2MBI75U4A-120
H04-004-03a
9
MS5F6060
13
a
Dynamic Gate charge (typ.)
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f=1MHz, Tj=25
oC
Vcc=600V, Ic=75A, Tj=25oC
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=25oC / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=125oC / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25oC / chip
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t:
Ic
[A
]
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
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2
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4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t:
Ic
[A
]
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t:
Ic
[A
]
Tj=125oC
Tj=25oC
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
Gate-Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=37.5A
Ic=75A
Ic=150A
C
ol
le
ct
or
-E
m
itt
er
vo
lta
ge
:V
C
E
[V
]
0.1
1.0
10.0
100.0
0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
Cies
C
ap
ac
ita
nc
e
:C
ie
s,
C
oe
s,
C
re
s
[n
F
]
Coes
Cres
0
100
200
300
400
Gate charge : Qg [ nC ]
C
ol
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-
E
m
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C
E
[2
00
V
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]
G
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E
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ge
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G
E
[5
V
/d
iv
]
VGE
VCE
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2MBP600UN-120V 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
2MP03SF 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N1022 7 A, 55 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N456A 7 A, 30 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N1034 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
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