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參數(shù)資料
| 型號： | 28F640P3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash嵌入式存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 42/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | 28F640P3 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
36
Preliminary
NOTES:
1. In normal operation, the V
program voltage is V
. V
can be connected to 11.4 V
–
12.6 V for 1000
cycles on main blocks for extended temperatures and 2500 cycles at extended temperature on parameter
blocks.
2. V
CCQ
and S-V
CC
must be tied together, except when in Data Retention Mode.
11.3
DC Characteristics
Sym
Parameter
(1)
Devic
e
Note
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
I
LI
Input Load Current
Flash/
SRAM
1
±2
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
S-V
CC
= S-V
CC
Max
Inputs = V
CCQ
or V
SS
I
LO
Output
Leakage
Current
DQ
15-0
, WAIT
Flash/
SRAM
1
±10
μA
I
CCS
Standby Current
Flash
1
6
21
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
CE# = V
CC
RST# =V
CC
or V
SS
4-Mbit
SRAM
1
20
μA
S-V
CC
= S-V
CC
Max
S-CS
1
# = S-V
CC
S-CS
2
= S-V
CC
or S-V
SS
Inputs = S-V
CC
or S-V
SS
8-Mbit
SRAM
1
40
μA
I
CC
Operating Power Supply
Current (cycle time = 1 μs)
4-Mbit
SRAM
1
10
mA
I
IO
= 0 mA, S-CS
1
# = V
IL
S-SC
2
= S-WE# = V
IH
Inputs = V
IL
or V
IH
8-Mbit
SRAM
1
20
mA
I
CC2
Operating Power Supply
Current (min cycle time)
4-Mbit
SRAM
1
45
mA
Cycle time = min 100% duty
I
IO
= 0 mA, S-CS
1
# = V
IL
S-SC
2
= V
IH
Inputs = V
IL
or V
IH
8-Mbit
SRAM
1
65
mA
I
CCR
Average
V
Read
Current
Asynchronous
Page Mode
Read
Flash
2
4
7
mA
4-Word Read
V
CC
= V
CC
Max
CE# = V
IL
OE# = V
IH
Inputs = V
IH
or V
IL
Synchronous
CLK = 40 MHz
Flash
2, 3
7
15
mA
4 -Word
Burst
9
16
mA
8-Word Burst
12
22
mA
Continuous
Burst
I
CCW
V
CC
Program Current
Flash
4, 5
18
40
mA
V
PP
= V
PP1
8
15
mA
V
PP
= V
PP2
I
CCE
V
CC
Block Erase Current
Flash
4, 6
18
40
mA
V
PP
= V
PP1
8
15
mA
V
PP
= V
PP2
I
CCWS
V
Program Suspend
Current
Flash
4
6
21
μA
CE# = V
CCQ
I
CCES
V
CC
Erase Suspend Current
Flash
4, 7
6
21
μA
CE# = V
CC
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PDF描述 |
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