參數(shù)資料
型號(hào)： 28F6408W30
廠商： Intel Corp.
元件分類： DRAM
英文描述： 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
中文描述： 1.8伏英特爾無(wú)線閃存的3伏的I / O和SRAM（寬30）
文件頁(yè)數(shù)： 82/82頁(yè)
文件大?。?/td> 749K
代理商： 28F6408W30
28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
76
Preliminary
Partition and Erase-block Region Information
32 Mbit
–
T
–
B
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NOTES:
1. The variable P is a pointer which is defined at CFI offset 15h.
2. For a 16Mb the 1.8 Volt Intel
Wireless Flash memory z1 = 0100h = 256
256 * 256 = 64K, y1 = 17h = 23d
y1+1 = 24
24 * 64K = 1
MB
Partition 2
’
s offset is 0018 0000h bytes (000C 0000h words).
3. TPD - Top parameter device; BPD - Bottom parameter device.
4. Partition: Each partition is 4Mb in size. It can contain main blocks OR a combination of both main and
parameter blocks.
5. Partition Region: Symmetrical partitions form a partition region. (there are two partition regions, A. contains
all the partitions that are made up of main blocks only. B. contains the partition that is made up of the
parameter and the main blocks.
Address
16 Mbit
–
B
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64Mbit
128Mbit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F640W30 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
28F320B3 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
28F640P3 Intel StrataFlash Embedded Memory
28F320C3 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器)
28F800C3 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F640C3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
28F640C3BC80 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3C120 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3C-120 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3D75 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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