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參數(shù)資料
| 型號： | 28F6408W30 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | 1.8伏英特爾無線閃存的3伏的I / O和SRAM（寬30） |
| 文件頁數(shù)： | 77/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | 28F6408W30 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
Preliminary
71
C.5
Device Geometry Definition
Table C7. Device Geometry Definition
Offset
27h
Length
1
Description
Code
See table below
“
n
”
such that device size = 2
in number of bytes
Flash device interface code assignment:
"n" such that n+1 specifies the bit field that represents the flash
device width capabilities as described in the table:
27:
7
6
5
4
3
2
1
0
28h
2
x1K
15
—
“
n
”
such that maximum number of bytes in write buffer = 2
n
x512
14
—
x256
13
—
x128
12
—
x64
11
—
x32
10
—
x16
9
—
x8
8
—
28:
--01
x16
29:
2A:
2B:
2C:
--00
--00
--00
2Ah
2
0
2Ch
1
2Dh
4
Erase Block Region 1 Information - Bottom paramenter device
Erase Block Region x-3 Information - Top Paramenter device
bits 0
–
15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16
–
31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2D:
2E:
2F:
30:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
bits 0
–
15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16
–
31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
31:
32:
33:
34:
35h
4
Erase Block Region 3-x Information for Bottom parameter device 35:
Erase Block Region 1 Information for Top paramenter device
bits 0
–
15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16
–
31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
36:
37:
38:
See table below
Number of erase block regions within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in
“
bulk
”
2. x specifies the number of device or partition regions
with one or more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking region
4. Partition size = (total blocks) x (individual block size)
See table below
See table below
See table below
Address
16 Mbit
32 Mbit
–
B
--15
--01
--00
--00
--00
--05
--07
--00
--20
--00
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--00
--01
–
T
--15
--01
--00
--00
--00
--05
--07
--00
--00
--01
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–
B
--16
--01
--00
--00
--00
--09
--07
--00
--20
--00
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--00
--01
–
T
--16
--01
--00
--00
--00
--09
--07
--00
--00
--01
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–
B
--17
--01
--00
--00
--00
--11
--07
--00
--20
--00
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--00
--01
–
T
--17
--01
--00
--00
--00
--11
--07
--00
--00
--01
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–
B
--18
--01
--00
--00
--00
--21
--07
--00
--20
--00
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--00
--01
–
T
--18
--01
--00
--00
--00
--21
--07
--00
--00
--01
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
35:
36:
37:
38:
64 Mbit
128 Mbit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F640W30 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F320B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F640P3 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 28F320C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F800C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| 28F640C3BC80 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3C120 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3C-120 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3D75 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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